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制造商:
Texas Instruments
产品种类:
MOSFET
RoHS:
 详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
WSON-6
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
5 A
Rds On-漏源导通电阻:
30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
900 mV
Qg-栅极电荷:
2.1 nC
工作温度:
- 55 C
工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
17 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
NexFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
0.75 mm
长度:
2 mm
系列:
CSD17313Q2
晶体管类型:
1 N-Channel Power MOSFET
宽度:
2 mm
商标:
Texas Instruments
开发套件:
TMDSCSK388, TMDSCSK8127
下降时间:
1.3 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
3.9 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
4.2 ns
典型接通延迟时间:
2.8 ns
单位重量:
8.700 mg