产品种类: N沟道功率MOSFET

封装: TO-3P

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流:Rds On-漏源导通电阻: 0.21 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: ±30 V

Qg-栅极电荷: 11 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 315 W

N沟道MOSFET FMH23N50E具有保持了低功耗和低噪音，高雪崩耐用性和栅极阈值电压的窄频带的特点，广泛应用于开关稳压器，UPS （不间断电源）和DC- DC转换器。

FUJI富士FMH23N50E N沟道功率MOSFET

   富士电机集团于1923年，由日本古河电气工业株式会社与德国西